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Nanometer MOSFET Effects on the Minimum-Energy Point of 45nm Subthreshold Logic
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Bol, David
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Kamel, Dina
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Flandre, Denis
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Legat, Jean-Didier
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Kamel, Dina
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Legat, Jean-Didier
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| Document type | Communication à un colloque (Conference Paper) – Présentation orale avec comité de sélection |
|---|---|
| Publication date | 2009 |
| Language | Anglais |
| Conference | "Proceedings of ISLPED'09, the IEEE/ACM International Symposium on Low-Power Electronics and Design (pp 3-8)", San Francisco (California/USA) (du 19/08/2009 au 21/08/2009) |
| Peer reviewed | yes |
| Affiliation | UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité |
| Keywords | Gate leakage ; Short-channel effects ; Subthreshold logic ; Ultra-low power ; Variability |
| Links |
| Bibliographic reference | Bol, David ; Kamel, Dina ; Flandre, Denis ; Legat, Jean-Didier. Nanometer MOSFET Effects on the Minimum-Energy Point of 45nm Subthreshold Logic.Proceedings of ISLPED'09, the IEEE/ACM International Symposium on Low-Power Electronics and Design (pp 3-8) (San Francisco (California/USA), du 19/08/2009 au 21/08/2009). |
|---|---|
| Permanent URL | http://hdl.handle.net/2078.1/89524 |