An investigation of noise phenomena in fabricated fully-deplated Silicon-on-Insulator MOSFETs by means of ensemble Monte Carlo simulations

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Authors	:	(Auteur) Rengel, R. [] (Auteur) González, T. [] (Auteur) Mateos, Javier [] (Auteur) Pardo, D. [] (Auteur) Dambrine, Gilles [] (Auteur) Danneville, François [] (Auteur) Raskin, Jean-Pierre [UCL] (Auteur) Martin, M. J. [] et al.[show all]
Document type	:	Article de périodique (Journal article)
Publication date	:	2006
Language	:	Anglais
Journal information	:	"IEEE Transactions on Electron Devices" - Vol. 53, no. 3, p. 523-532 (March)
Peer reviewed	:	yes
Publisher	:	IEEE
issn	:	0018-9383
e-issn	:	1557-9646
Publication status	:	Publié
Affiliation	:	UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité
Links	:	[Handle]http://hdl.handle.net/2078.1/85692

Bibliographic reference	Rengel, R. ; González, T. ; Mateos, Javier ; Pardo, D. ; Dambrine, Gilles ; et. al. An investigation of noise phenomena in fabricated fully-deplated Silicon-on-Insulator MOSFETs by means of ensemble Monte Carlo simulations. In: IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 53, no. 3, p. 523-532 (March)
Permanent URL	http://hdl.handle.net/2078.1/85692