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Improving MOSFET Piezoresistive Strain Gauges Limit of Detection Using Lock-In Principle
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- 2.20 M
Delhaye, Thibault
[UCL]
Roisin, Nicolas
[UCL]
André, Nicolas
[UCL]
Francis, Laurent
[UCL]
Flandre, Denis
[UCL]
André, Nicolas
[UCL]
Francis, Laurent
[UCL]
Flandre, Denis
[UCL]
| Document type | Communication à un colloque (Conference Paper) – Présentation orale avec comité de sélection |
|---|---|
| Access type | Accès libre |
| Publication date | 2021 |
| Language | Anglais |
| Conference | "IEEE Sensors 2021", virtual conference (du 31/10/2021 au 04/11/2021) |
| Peer reviewed | yes |
| Host document | "Proceedings of the IEEE Sensors 2021" |
| Affiliation | UCL - SST/ICTM/ELEN - Pôle en ingénierie électrique |
| Keywords | Strain; Sensor; Piezoresistive effect; Lock-in; MOSFET; Limit of detection |
| Links |
| Bibliographic reference | Delhaye, Thibault ; Roisin, Nicolas ; André, Nicolas ; Francis, Laurent ; Flandre, Denis. Improving MOSFET Piezoresistive Strain Gauges Limit of Detection Using Lock-In Principle.IEEE Sensors 2021 (virtual conference, du 31/10/2021 au 04/11/2021). In: Proceedings of the IEEE Sensors 2021, 2021 |
|---|---|
| Permanent URL | http://hdl.handle.net/2078.1/259484 |