Selective Growth of CdTe by Molecular Beam Epitaxy on CdTe(211)B Microseeds and Si(100) Nanoseeds Patterned on SiO2

(eng) This Ph. D. thesis is dedicated to the study of selective growth by molecular beam epitaxy of CdTe on CdTe(211)B and Si(100) islands patterned on SiO2. These islands have a micro- and nanometer scale size and act as seeds for the growth of CdTe. These structures are patterned by optical and interferometric lithography. The selective process is explained by a difference in the physisorption energy of the adsorbed atoms of cadmium and telluride depending on the substrate (CdTe, Si or SiO2).

(fre) Cette thèse de doctorat étudie la possibilité de faire croître par épitaxie par jets moléculaires du CdTe sélectivement sur des îlots de CdTe(211)B ou de Si(100) qui ont été lithographiés sur un substrat de SiO2. La création des micro- et nanostructures servant de semence d’amorçage à la croissance sélective du CdTe a été réalisée par lithographie optique et interférométrique. La sélectivité est expliquée par une variation de l’énergie de physisorption des atomes de cadmium et de tellure en fonction de la nature du substrat (CdTe, Si ou SiO2).