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Une nouvelle méthode d'extraction directe des paramètres petits signaux d'un transistor à effet de champ, application aux MOSFET SOI

Bibliographic reference Raskin, Jean-Pierre ; Dambrine, G.. Une nouvelle méthode d'extraction directe des paramètres petits signaux d'un transistor à effet de champ, application aux MOSFET SOI.Journées Nationales Microondes (Saint-Malo, France, du 20/05/1997 au 23/05/1997). In: Proceedings des Journées Nationales Microondes, 1997, p.pp. 586-587
Permanent URL http://hdl.handle.net/2078.1/122243