User menu

Accès à distance ? S'identifier sur le proxy UCLouvain

Frequency degradation of SOI MOS device output conductance

Primary tabs

Lederer, Dimitri [UCL] Dehan, Morin [UCL] Vanhoenacker-Janvier, Danielle [UCL] Flandre, Denis [UCL] Raskin, Jean-Pierre [UCL]

In this paper analyses about the Fully Depleted (FD), Body Tied (BT) or Dynamic Threshold (DT) devices and compares the output conductance of these devices in the 100 kHZ-4 GHZ frequency range.

Document type Communication à un colloque (Conference Paper) – Présentation orale avec comité de sélection
Publication date 2003
Language Anglais
Conference "2003 IEEE International SOI Conference", Newport Beach (USA) (du 29/09/2003 au 02/10/2003)
Peer reviewed yes
Host document "Proceedings of the 2003 IEEE International SOI Conference"- 76-77 (ISBN : 0-7803-7815-6)
Publisher IEEE
Publication status Publié
Affiliation UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité
Keywords Admittance ; MOSFETs ; Silicon on insulator technology
Links
Bibliographic reference Lederer, Dimitri ; Dehan, Morin ; Vanhoenacker-Janvier, Danielle ; Flandre, Denis ; Raskin, Jean-Pierre. Frequency degradation of SOI MOS device output conductance.2003 IEEE International SOI Conference (Newport Beach (USA), du 29/09/2003 au 02/10/2003). In: Proceedings of the 2003 IEEE International SOI Conference, IEEE2003, p.76-77
Permanent URL http://hdl.handle.net/2078.1/113949