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Charge Sensitive Amplifier Study in 2μm FD SOI CMOS
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Document type | Communication à un colloque (Conference Paper) – Présentation orale avec comité de sélection |
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Publication date | 2011 |
Language | Anglais |
Conference | "IEEE International SOI Conference (SOI 2011)", Tempe (USA) (du 03/10/2011 au 06/10/2011) |
Peer reviewed | yes |
Host document | "Proceedings of the IEEE International SOI Conference (SOI 2011)" |
Affiliations |
UCL
- SST/IRMP - Institut de recherche en mathématique et physique UCL - SST/ICTM/ELEN - Pôle en ingénierie électrique |
Keywords | SOI ; CMOS ; FD SOI CMOS |
Links |
Bibliographic reference | Soung Yee, Lawrence ; Martin, Elena ; Cortina Gil, Eduardo ; Renaux, Christian ; Flandre, Denis. Charge Sensitive Amplifier Study in 2μm FD SOI CMOS.IEEE International SOI Conference (SOI 2011) (Tempe (USA), du 03/10/2011 au 06/10/2011). In: Proceedings of the IEEE International SOI Conference (SOI 2011), 2011 |
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Permanent URL | http://hdl.handle.net/2078.1/106345 |