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Long dephasing time and high temperature ballistic transport in an InGaAs open quantum dot
Onglets principaux
Type de document | Communication à un colloque (Conference Paper) – Présentation orale avec comité de sélection |
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Type d'accès | Accès restreint |
Année de publication | 2002 |
Langue | Anglais |
Conférence | "International Conference on Superlattices Nano-Structures and Nano-Devices (ICSNN-02)", TOULOUSE(France) (du 22/06/2002 au 26/06/2002) |
Peer reviewed | oui |
issn | 1386-9477 |
e-issn | 1873-1759 |
Document hôte | |
Editeur | Elsevier Science Bv (Amsterdam) |
Statut de la publication | Publié |
Affiliations |
UCL
- FSA/MAPR - Département des sciences des matériaux et des procédés UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité |
Mots-clés | Quantum Dots ; Ballistic Effects ; Dephasing |
Liens |
Référence bibliographique | Hackens, Benoît ; Faniel, Sébastien ; Delfosse, F ; Gustin, C. ; Boutry, H ; et. al. Long dephasing time and high temperature ballistic transport in an InGaAs open quantum dot.International Conference on Superlattices Nano-Structures and Nano-Devices (ICSNN-02) (TOULOUSE(France), du 22/06/2002 au 26/06/2002). |
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Permalien | http://hdl.handle.net/2078.1/61578 |