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Low-temperature Thermoelectric Properties of Tin-doped Bismuth
Onglets principaux
| Type de document | Article de périodique (Journal article) – Article de recherche |
|---|---|
| Année de publication | 1979 |
| Langue | Anglais |
| Information sur le périodique | "Journal of Physics F: Metal Physics" - Vol. 9, no. 12, p. 2387-2398 (1979) |
| Peer reviewed | oui |
| Editeur | Iop Publishing Ltd (Bristol) |
| issn | 0305-4608 |
| Statut de la publication | Publié |
| Affiliations | UCL |
| Liens |
| Référence bibliographique | Boxus, J. ; Heremans, J. ; Michenaud, Jean-Pierre ; Issi, JP.. Low-temperature Thermoelectric Properties of Tin-doped Bismuth. In: Journal of Physics F: Metal Physics, Vol. 9, no. 12, p. 2387-2398 (1979) |
|---|---|
| Permalien | http://hdl.handle.net/2078.1/60589 |