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Les MOS en technologie SOI pour les applications hyperfréquences : “Partially Depleted” ou “Fully Depleted" ?

Onglets principaux

Vanmackelberg, M. [IEMN, Villeneuve d'Ascq, France] Raynaud, C. [IEMN, Villeneuve d'Ascq, France] Raskin, Jean-Pierre [UCL] Bracale, A. [IEMN, Villeneuve d'Ascq, France] Jomaah, J. [IEMN, Villeneuve d'Ascq, France] Dambrine, G. [IEMN, Villeneuve d'Ascq, France]
Type de document Communication à un colloque (Conference Paper) – Présentation orale avec comité de sélection
Année de publication 2001
Langue Français
Conférence "Journées Nationales Micro-ondes – JNM’2001", Poitiers, France (du 16/05/2001 au 18/05/2001)
Peer reviewed oui
Document hôte "Proceedings of the Journées Nationales Micro-ondes – JNM’2001"- p. 2 pages (paper 3C-3)
Statut de la publication Publié
Affiliations UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité
Liens
Référence bibliographique Vanmackelberg, M. ; Raynaud, C. ; Raskin, Jean-Pierre ; Bracale, A. ; Jomaah, J. ; et. al. Les MOS en technologie SOI pour les applications hyperfréquences : “Partially Depleted” ou “Fully Depleted" ?.Journées Nationales Micro-ondes – JNM’2001 (Poitiers, France, du 16/05/2001 au 18/05/2001). In: Proceedings of the Journées Nationales Micro-ondes – JNM’2001, 2001, p. 2 pages (paper 3C-3)
Permalien http://hdl.handle.net/2078.1/122462