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Le transistor MOSFET SOI dans le domaine des micro-ondes : modèle linéaire et choix technologiques
Onglets principaux
| Type de document | Communication à un colloque (Conference Paper) – Présentation orale avec comité de sélection |
|---|---|
| Année de publication | 1995 |
| Langue | Français |
| Conférence | "URSI 1995", Leuven, Belgium (13/12/1995) |
| Peer reviewed | oui |
| Document hôte | "Union Radio-Scientifique Internationale"- p. 55 |
| Statut de la publication | Publié |
| Affiliations | UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité |
| Liens |
| Référence bibliographique | Raskin, Jean-Pierre. Le transistor MOSFET SOI dans le domaine des micro-ondes : modèle linéaire et choix technologiques.URSI 1995 (Leuven, Belgium, 13/12/1995). In: Union Radio-Scientifique Internationale, 1995, p. 55 |
|---|---|
| Permalien | http://hdl.handle.net/2078.1/122155 |