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Modélisation et optimisation des paramètres du transistor MOSFET, en technologie SOI, à hautes fréquences
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| Document type | Communication à un colloque (Conference Paper) – Présentation orale avec comité de sélection |
|---|---|
| Publication date | 1994 |
| Language | Français |
| Conference | "URSI 1994", Louvain-la-Neuve (du 01/12/1994 au 02/12/1994) |
| Peer reviewed | yes |
| Host document | "Union Radio-Scientifique Internationale"- p. 117 |
| Publication status | Publié |
| Affiliation | UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité |
| Links |
| Bibliographic reference | Raskin, Jean-Pierre. Modélisation et optimisation des paramètres du transistor MOSFET, en technologie SOI, à hautes fréquences.URSI 1994 (Louvain-la-Neuve, du 01/12/1994 au 02/12/1994). In: Union Radio-Scientifique Internationale, 1994, p. 117 |
|---|---|
| Permanent URL | http://hdl.handle.net/2078.1/122147 |